碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT(物理氣相傳輸)法生長。研究表明，SiC粉體的純度以及其他參數如粒度和晶型等對PVT法生長SiC單晶晶體質量乃至后續制作的器件質量都有一定影響。

　　SiC粉體的合成方法多種多樣，總體來說，大致可以分為三種方法。第一種方法是固相法，其中具有代表性的有碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;第二種方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;第三種方法是氣相法，其中包括化學氣相沉積法、等離子體法和激光誘導法等。

　　以往的自蔓延合成法是以外加熱源點燃反應物坯體，然后利用自身物質的化學反應熱使得后續的化學反應過程自發地持續進行，從而合成材料的一種方法。該法大都以硅粉和碳黑為原料，并填加其他活化劑，在1000~1150℃以顯著的速度直接發生反應，生成SiC粉體，活化劑的引入勢必影響合成產物的純度和質量。因此，很多研究者在此基礎上提出了改進的自蔓延合成法，改進之處主要是避免活化劑的引入，通過提高合成溫度和持續供應加熱來保證合成反應持續有效地進行。