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99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術等級
氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術等級
99.6%氧化鋁陶瓷基板
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◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術等級
99.6%氧化鋁陶瓷基板
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◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術等級
氮化鋁生瓷帶
氮化鋁生瓷帶
氧化鋁白瓷
氧化鋁白瓷
氧化鋁黑瓷
氧化鋁黑瓷
氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術等級
企業介紹
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Growth process

發展歷程

  • 2019年5月成立，注冊資金3032萬元
  • 2020年1月14日，裝修完成
  • 2020年6月，投產

 

新聞中心

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高性能電子陶瓷材料及薄膜電路設計交流會

高性能電子陶瓷材料及薄膜電路設計交流會

新聞中心 發布時間 : 2023-03-13 16:33:36
第二屆“科創會”市州重點科創項目推介洽談專場路演活動

第二屆“科創會”市州重點科創項目推介洽談專場路演活動

新聞中心 發布時間 : 2023-02-17 13:48:26
2023年2月16日下午，四川六方鈺成電子科技有限公司參加了由德陽市在成都舉辦的第二屆“科創會”市州重點科創項目推介洽談專場路演活動，在本次路演活動中，我司與***客戶正式簽約。
社會責任

技術支持

08-20

高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述

碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述
08-20

單層芯片電容的制備方法

單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面，具有量大面廣的特點。
單層芯片電容的制備方法
08-05

?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW

采用BiCDMOS高耐壓工藝，在內置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉換器IC中，實現了業內超高的80V耐壓等級，從而可以使安全工作范圍更寬?！　∨c同等輸出電流的普通產品相比，耐壓成功地提高了約20%，不僅在5G通信基站和服務器等的48V主電源系統中，而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統中，都擁有足夠的余量應對突發性的浪涌電壓，因此有助于提高應用產品的
?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW
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發布時間：2020-12-07 18:30:37

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西南片區銷售經理: 19181076801（李先生）

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